2SK2376(TE24L,Q)
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
2SK2376(TE24L,Q) datasheet
-
Маркировка2SK2376(TE24L,Q)
-
ПроизводительTOSHIBA Semiconductor
-
ОписаниеTOSHIBA Semiconductor 2SK2376(TE24L,Q) Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 45A Drain To Source Voltage (vdss): 60V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 110nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 3350pF @ 10V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220FL Power - Max: 100W Rds On (max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V Series: - Vgs(th) (max) @ Id: 2V @ 1mA
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
08.06.2024
07.06.2024
06.06.2024